FET (Alan Etkili Transistör) yüksek giriş empedansına sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemandır. Elektrik alanı doğrultusunda çalıştığından alan etkili transistörlerdir. FET 'ler, transistörlerin kullanıldığı yerlerde rahatlıkla kullanılıbilir.
FET 'lerin klasik transistörlere (BJT) göre üstünlükleri şöyle sıralanabilir:
Giriş empedansları 100MΩ 'dur.
Anahtar olarak kullanımı olduğu için, sapma gerilimi görülmez.
Radyasyon etkisi yoktur.
BJT Transistörlere göre kıyaslandığında, daha az gürültü meydana gelir
Isısal değişimlerden etkilenmezler.
BJT 'lere göre daha az yer kaplar. Tümdevre elemanlarında kullanımı yaygındır.
Yüksek giriş empedansı ve alçak elektrodlar arası kapasitans özelliği ile yüksek frekans devrelerinde rahtlıkla kullanılırlar.
BJT 'lere göre avantaj olmayan yanı ise band genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder
Yorum yazın