bu transistör base emitter arası 0,3 Volt olması ve büyük, maliyetli olmasın
dan, yerine base emitter arası 0,7 Volt olan silisyum transistörler kullanıl
maktadır. Silisyum maliyet açısından germanyum yarıiletkenine göre
ucuz ve devrede az yer kaplamaktadır.
Düşünün ki entegre chip gibi tümleşik komponentlerde germanyum
kullanılsaydı, smd chip değil, sadece büyük entegreler kullanılmış olacaktı.
Germanyumun ısınma bakımından silisyuma göre avantajı var. Yani german
yum çok ısınma yapmaz.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder
Yorum yazın