Lambalı yükselteçler büyük ve yüksek gerilimde çalıştığından sorun olmaya
başlamıştı. Mucit adamlar yer az tutan, pille çalışabilecek ve maliyeti düşük
eleman araştırmaya başlamışlardı. William Shockley, John Bardeen ve
Walter Brattain ekibi, Germanyum elementinden yarıiletken
BJT ( Bipolar Junction Transistor ) tipi transistörü bulmuşlardı.
2 adet N maddesi ve 1 adet P maddesinden
Germanyum NPN transistörü 1947 yıllarında kullanılacak duruma getirmişlerdi.
İler ki yıllarda Silisyum transistörü üretilmesi ile yarıiletkenler çok az yer
kaplamakla beraber ucuzlamaya da başlamıştı.